在9月19日開幕的中國閃存技術峰會，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士發表了主題演講，指出合肥長鑫已將奇夢達的46nm內存工藝技術水平提升到了10nm級別。在這個名為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講中，平爾萱博士談到了內存技術的發展、應用以及面臨的技術挑戰等問題，其中也涉及到了長鑫的內存技術來源及改進。

長鑫的技術來源已經不是秘密，此前在GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的DRAM內存技術來源，主要就是已破產的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據，在此基礎上改進、研發自主產權的內存芯片，耗資超過25億美元。

奇夢達已經破產多年，他們的內存技術實際上停留在了前幾代的水平，平爾萱博士稱長鑫已經借助先進的設備將奇夢達46nm工藝水平的內存芯片推進到了10nm級別。

不過公開報導中沒有說明平爾萱博士所說的10nm級別到底是什麼水平，理論上20nm之後的都可以叫做10nm級，但三星是在20nm、18nm之後發展了1Xnm、1Ynm、1Znm，從1Xnm工藝才開始稱作10nm級內存。

結合之前的報導，長鑫公司今年底會量產19nm工藝、8Gb核心的DDR4內存芯片，不知道這個內存是否就是平爾萱博士所說的10nm級內存。

不論是19nm還是其他工藝的內存，總體來說國內公司如果能在年底量產10nm級別的內存，起點還是非常高的，與國際先進水平的差距也就2-3年的樣子，這個水平相比其他芯片的差距就小太多了。