長江存儲科技（YMTC）本週早些時候表示，已經開始批量生產採用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。這些存儲器完全在國內自主開發，未來將應用於固態硬盤和UFS存儲，但並未透露具體的產品和上線時間。長將存儲的64層3D TLC NAND具備256Gb的存儲容量，但接口速度未知。

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。

當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”

程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力。”

長江存儲的Xstacking技術是基於武漢新芯科技的CIS傳感器芯片上開發的堆棧技術，它把外圍電路置於存儲單元之上，外圍電路和存儲單元是2片晶圓，2顆裸芯片的大小是一樣的，這就意味著其CMOS可用面積遠大於其他傳統3D NAND架構，從而實現更高的存儲密度。

相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。

根據官方消息，現在基於Xstacking堆棧技術的64層閃存主要用於固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。基於Xstacking 2.0技術的第三代閃存被廣泛應用於數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域，並將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章，整體上定位更高一些。