Everspin近日宣布，其已開始試生產最新的1Gb STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。去年12月的時候，其已發布了首批預生產樣品。新MRAM器件採用格羅方德（GlobalFoundries）的28nm工藝製造，與當前的40nm 256Mb器件相比，其在密度和容量方面有了重大的進步。預計今年下半年的時候，其產能會開始增加。

（題圖via AnandTech）

新器件提供了8 / 16-bit 的DDR4-1333 MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基於DDR3 的MRAM 組件一樣，時序上的差異使得其難以成為DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。

低容量的特性，使得MRAM 組件更適用於嵌入式系統，其中SoC 和ASIC 可更容易地設計兼容的DDR 控制器。

據悉，最新的1Gb 容量STT-MRAM 擴大了MRAM 的吸引力，但Everspin 仍需努力追趕DRAM 的存儲密度。

當然，我們並不指望MRAM專用存儲設備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。畢竟市面上的混合型SSD，仍依賴於NAND閃存作為主要存儲介質。

目前行業內已通過MRAM 來部分替代DRAM，比如IBM 就在去年推出了FlashCore 模塊，以及希捷在FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是，儘管Everspin 不是唯一一家致力於MRAM 技術的公司，但它們卻是分立式MRAM 器件的唯一供應商。

作為與格羅方德合作生產的第二款分立型MRAM 器件，他們還在GloFo 的22nm FD-SOI 工藝路線圖中嵌入了MRAM 。

鑑於該工廠取消了7nm 和更低製程的計劃，包括嵌入式內存在內的特殊工藝對其未來顯然至關重要。