中國每年進口的集成電路超過3000億美元，其中存儲芯片佔了大約1/3的份額，但DRAM內存及NAND閃存目前尚無國產廠商染指，國產率基本為0，其中高價值的內存幾乎壟斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中。

Digitimes報導稱，合肥長鑫（ChangXin Memory Technologies，簡稱CXMT）公司計劃在今年底量產首款內存芯片，是8GB LPDDR4顆粒，預計Q4季度產能約為2萬片晶圓/月，不過產能最終會擴大到12.5萬片晶圓/月。

根據長鑫之前的公告，其首批8Gb LPDDR4內存應該是19nm工藝的，預計在2020年建設第二座晶圓廠，將使用20nm以下的工藝生產內存，該公司計劃在2021年量產17nm工藝的內存芯片。

此外，國內研發DRAM內存的另一家公司福建晉華JHICC被美國製裁，業務幾乎停擺，長鑫公司也擔心被美國盯上，促使他們在研發過程中非常注重知識產權。

從長鑫公司之前公佈的消息來看，他們的內存技術主要源於破產的奇夢達公司，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。