北京清芯華創投資公司投委會主席陳大同博士日前在報告中談到了中國半導體產業與世界一流水平的差距，其中封裝方面差距最小，最快5年追上，半導體製造上則需要10- 15年，這部分也是國產最弱的一部分了。在半導體製造方面，國內工藝最先進的主要是SMIC中芯國際，28nm已經量產，14nm今年下半年量產。其次就是上海華虹集團，該公司建設了多個半導體製造項目，其中華虹六廠將在明年量產14nm工藝。

根據資料，2018年4月3日，華虹集團宣布位於無錫的華虹半導體七廠開工。據了解，華虹無錫集成電路研發和製造基地項目佔地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。

華虹無錫基地項目將分期建設數條12英寸集成電路生產線。首期項目實施後，將適時啟動第二條生產線建設。

華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃將於2019年上半年完成土建施工，下半年完成淨化廠房建設和動力機電設備安裝、通線並逐步實現達產，預計年產值將達50億元。

經過一年的建設，華虹方面此前宣布無錫的華虹七廠將在2季度搬入機台設備，預計4季度正式開始量產12英寸晶圓，華虹旗下的研發、工程及銷售團隊正在為此做準備。

日前華虹無錫項目進入了新階段，6月6日舉行了2英寸生產線建設項目首批光刻機搬入儀式，此舉標誌著華虹七廠建設上了一個新台階，為9月建成投片奠定了堅實基礎。

上午9:30，光刻機搬入儀式正式開始。華虹宏力黨委書記、總裁、華虹半導體（無錫）有限公司總經理唐均君主持儀式，總包聯合體十一科技黨委書記、董事長趙振元，上海建工集團黨委副書記、總裁卞家駿，以及設備供應商代表阿斯麥公司（ASML）全球資深副總裁Bert Savonije分別發言。