由於被美國商務部製裁，華為的供應鏈面臨斷供的風險，特別是美國公司的芯片及軟件，除了CPU、射頻、網絡芯片之外，華為的閃存芯片也會受到壓力，智能手機、服務器、基站等產品中都會用到大量NAND閃存。

目前全球的NAND閃存主要掌握在三星、東芝、西數、SK Hynix、美光、Intel等六家公司中，其中美光、Intel、西數是美國公司，但他們的NAND閃存在全球佔比相對較小，主要閃存供應還是三星、東芝、SK Hynix，此前東芝公司也否認對華為斷供，韓國公司斷供可能性也不大，所以華為NAND閃存供應暫時沒有風險。

但是為了應對極端情況，華為也在準備國產閃存的備胎計劃，消息稱華為已經要求國內的長江存儲提前量產64層堆棧的3D TLC閃存，以備不時之需，不過長江存儲目前尚未證實或者否認此事。

在NAND閃存領域，國內投入力量最大的就是長江存儲，2016年在武漢斥資240億美元建設國產NAND存儲芯片基地，去年已經開始少量生產32層堆棧的3D閃存，預計今年底投入64層3D閃存的量產工作。其中風險試產預計三季度啟動，目前良率已經實現了顯著爬升。

由於華為事件爆發，長江存儲的閃存量產計劃可能會提前，這對國內公司來說也是一次機遇。

根據長江存儲之前的消息，64層堆棧是今明兩年生產的主力，再下一代則會直接進入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在閃存技術方面，去年長江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND閃存技術，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。今年8月份將會推出Xtacking 2.0閃存技術，Xtacking依然會不斷進化中。