外媒報導稱，電子器件工程聯合會（JEDEC）剛剛修訂了JESD253高帶寬顯存（HBM）標準，剔除了一些舊的數字。修訂後的JESD253B標準，已支持多達12層的矽通孔（TSV）堆棧，傳輸速率提升至307 GB/s，遠高於舊標準的256GB/s 。JESD235B標準使用與前一版相同的1024位總線，但每個引腳的帶寬提升至2.4Gb/s 。

AMD Vega 10 在GPU 一旁佈置了HBM 高帶寬顯存

在製作符合 JESD235B 標準的HBM 堆棧的過程中，RAM 製造商可以選擇2、4、8、12 層TSV 。

改進的層數和配置，意味著更大的靈活性，使內存製造商能夠輕鬆搭建24GB 的單片HBM 堆棧。雖然目前沒有廠商展示這樣的原型設計，但我們相信，它遲早會到來。

JEDEC 沒有在新聞稿中披露誰將使用這些芯片的更多細節，但前景顯然是相當誘人的。

[編譯自：TechReport ]