SK海力士1Ynm DDR4芯片研製完成：8Gb容量、功耗減少15%
11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發完成基於1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。該芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz頻率，號稱可以提供最佳的性能和容量密度。技術指標方面，相較於1Xnm，1Ynm芯片的生產率提高了20%，功耗降低了15%。
SK海力士還表示，新的1Ynm芯片還顯著提高了傳感器精準度、調整了晶體管結構，使得數據傳輸的出錯率降低。
官方稱，1Ynm DDR4 DRAM芯片將於明年一季度出貨，率先用於服務器和PC產品上，最後向手機等領域推廣。
科普：
在存儲芯片從20+nm進入10+nm工藝之後，廠商對工藝的描述已經不再使用具體的數字了，20nm之後是1x nm工藝，再往後則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至於XYZ具體的含義，由於每家公司的工藝並不一樣，所以缺少詳細的解釋。
