在今年的FMS國際閃存會議上正式宣告了業界首個基於CTF技術的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。

根據SK Hynix之前公佈的信息，所謂的4D NAND閃存其實也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存，本質上其實還是3D NAND，4D NAND閃存有很強的商業營銷味道。

SK Hynix的4D NAND閃存首先會量產TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。

至於QLC類型的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。

韓聯社報導稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存，TLC類型，核心容量512Gb，與現有的72層堆棧3D NAND閃存相比，4D NAND閃存的核心面積減少了30% ，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且性能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。

根據官方所說，4D NAND閃存今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。