英特爾的18A 節點不僅關乎良率和密度（這仍然是非常重要的因素），還關乎效能。根據台灣媒體3C News 引述TechInsights 的研究和計算，節點效能的新領導者是英特爾18A。在TechInsights 使用的自訂評分標準中，英特爾18A 的表現得分為2.53，而台積電N2 的表現得分為2.27，三星SF2 的表現得分為2.19。

這意味著在同為兩個奈米級節點中，英特爾處於領先地位。作為第一個具有背面供電網路(BSPDN) 的節點，它將在2025 年末出現在Panther Lake CPU 中進行測試，並在2026 年初出貨。這種新的電源架構將佈局效率和組件利用率提高5-10%，降低互連電阻，並將ISO 電源性能提高高達4%，這要歸功於與傳統前端電源佈線相比固有電阻的顯著下降。

與其前身英特爾3 相比，18A 製程每瓦性能提升了15%，並在相同面積內封裝了30% 以上的電晶體。此製程採用RibbonFET 設計，已進入風險生產階段。英特爾表示：“這最後階段是對量產進行壓力測試，然後在2025 年下半年實現大批量生產。”

 至於SRAM 密度等其他方面，高性能SRAM 單元從英特爾3 的0.03 微米² 縮小到英特爾® 18A 的0.023 微米²，而高密度單元縮小到0.021 微米²，分別反映了0.77 和0.88 的縮放係數，打破了先前已達到穩定水平的縮放。英特爾創新的「環繞陣列」PowerVia 方法透過將電源通孔佈線到I/O、控制和解碼器電路來解決電壓降和乾擾問題，從而將位元單元區域從正面電源中解放出來。最終實現了38.1 Mbit/mm² 的宏位密度，使英特爾能夠與台積電的N2 相提並論。所有這些，加上BSPDN，英特爾正在建立一個強大的節點。這讓外界對未來18A 工藝充滿了期待。