根據一份新報告，中芯國際將在2025 年完成其5nm 晶片的開發。使用較舊的DUV 設備的結果將使中芯國際達到其5nm 目標，但除了成本增加之外，據說其良率僅為台積電在同一技術上的良率的三分之一。

Kiwoom Securities 發布並由消息人士@Jukanlosreve 發現的數據提到了中芯國際計劃何時完成其5nm 晶片的開發。據稱，華為Mate 70 系列的麒麟9020 依然採用7nm 光刻技術進行量產，分析師據此推斷，這家中國代工廠在5nm 節點上遇到了各種障礙。該報告暗示，儘管中芯國際完全有可能成功實現其雄心勃勃的目標，但它將經歷一系列坎坷。

例如，據報道，中芯國際的5nm 晶圓價格將比台積電高出50%，而同樣的製造工藝良率僅為33%。這些晶片的價格是我們之前討論過的一個話題，同時也提到，這一價格上漲是因為使用了老一代的DUV 設備而不是EUV，而EUV 需要額外的圖案化才能成功實現這種光刻。

這些額外的步驟不僅會需要更多時間來生產5nm 晶圓，還會降低中芯國際的產量，導致良率降低。

據報道，該機器將於2025 年第三季進入試生產階段。據說，與華為有關聯的另一家中國設備製造商新凱來正在研發各種適合ASML 的替代品 ，以使該地區能夠成功開始全面生產先進半導體。

目前尚不清楚中芯國際何時會大量生產5nm 晶圓，但@Jukanlosreve 的貼文提到，華為將利用這項技術生產其Ascend 910C，這是一款旨在減少中國對NVIDIA 依賴的AI 晶片。借助本土製造的EUV 機器，中芯國際有機會追求更尖端的節點。