九峰山實驗室科研團隊近日取得重大突破，成功在全球首次實現了8吋矽基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的製備。這項里程碑式的成果不僅打破了國際技術壟斷，更為射頻前端等系統級晶片在頻率、效率、整合度等方面的提升提供了強有力的技術支持，將推動下一代通訊、自動駕駛、雷達探測、微波能量傳輸等前沿技術的快速發展。

氮化鎵晶體結構的極性方向對元件性能和應用有決定性影響，主要分為氮極性氮化鎵和鎵極性氮化鎵兩種極化類型。

研究表明，在高頻、高功率裝置領域，氮極性氮化鎵相較於傳統的鎵極性氮化鎵展現出顯著的技術優勢。然而，由於材料生長條件嚴苛、製程複雜等瓶頸，目前全球僅有少數機構能夠小批量生產2-4吋氮極性氮化鎵高電子遷移率基板材料，且成本高昂，限制了其大規模應用。

九峰山實驗室的突破性成果主要體現在以下幾個方面：首先，透過採用矽基襯底，該技術相容於8吋主流半導體產線設備，並深度整合矽基CMOS工藝，顯著降低了生產成本，同時為大規模量產提供了便利條件；其次，材料性能得到顯著提升，兼具高配位遷移率和優異良化率的能力超過一個大規模基礎；

氮極性氮化鎵材料在高頻段（如毫米波頻段）表現出色，特別適用於5G/6G通訊、衛星通訊、雷達系統等高頻操作領域。隨著這項技術的成熟與推廣，未來可望在多個高科技領域實現廣泛應用，推動相關產業的升級與革新。