SK Hynix 剛剛宣布推出其下一代12-Hi HBM3e 和SOCAMM 內存，同時還發布了全球首批12-Hi HBM4 樣品，NVIDIA 最新的GB300 AI 晶片提供動力的HBM3E 內存也已準備就緒該公司宣布將在3 月17 日至21 日在加利福尼亞州何塞市舉行的內存 2025GTC 上推出其領先12132525 年 HBM

該公司一直是三星和美光的主要競爭對手，並為NVIDIA 強大的AI 晶片製造了最新的SOCAMM（小型壓縮附加記憶體模組）。這是基於流行的CAMM 內存，該內存用於NVIDIA 的晶片，但將是一種低功耗DRAM。

SK Hynix SOCAMM 記憶體將有助於大幅提高記憶體容量，提高AI 工作負載的效能，同時保持節能。除了SOCAMM，SK Hynix 也將展示其為NVIDIA 製造最新Blackwell GB300 GPU 而提供的12-High HBM3E 記憶體。 SK Hynix 與NVIDIA 就GB300 AI 晶片達成了獨家協議，並且已經領先於競爭對手。

SK Hynix 去年9 月量產12H HBM3E，而三星大概還需要幾個月才能趕上SK Hynix。 SK Hynix 的高層將在GTC 活動上展示產品，包括執行長Kwak Noh-Jung、總裁兼AI Infra 首席行銷長Juseon Kim 和全球S&M 負責人Lee Sangrak 等。官方表示：

SK海力士憑藉其在HBM市場領先的技術優勢和生產經驗，提前交付了樣品，並將啟動客戶認證流程。 SK海力士計劃在今年下半年完成12層HBM4產品量產的準備工作，鞏固其在下一代AI記憶體市場的地位。

此次提供的樣品的12層HBM4具有業界最佳的容量和速度，這對於AI記憶體產品至關重要。

 該產品首次實現了每秒處理資料量超過2TB（兆兆位元組）的頻寬1。這意味著每秒處理的資料量相當於400 多部全高清電影（每部5GB），比上一代HBM3E 快60% 以上。

SK海力士也採用了先進的MR-MUF工藝，實現了36GB的容量，這是12層HBM產品中最高的容量。此製程的競爭力已透過上一代產品的成功生產得到證實，有助於防止晶片翹曲，同時透過改善散熱來最大限度地提高產品穩定性。

最後，該公司還將展示其領先的12-Hi HBM4 內存，該內存目前正在開發中，並正在向包括NVIDIA 在內的主要客戶提供樣品，這些客戶將在Rubin 系列GPU 上使用該產品。 12-Hi HBM4 記憶體每個堆疊的容量高達36 GB，資料速率高達2 TB/s。

該公司計劃於2025 年下半年量產12-H HBM4 記憶體，並將採用台積電的3nm 製程節點。