經濟學人發文，ASML的光刻技術正使其成為全球科技博弈的核心。日本競爭對手佳能押注於更簡單廉價的技術，試圖打破ASML的壟斷。但與軟體產業領導地位可能數月易主不同，光刻技術的競賽是場以十年計的馬拉松。要超越ASML絕非易事。這場賽局的焦點，是對將塑造未來運算、AI乃至整個科技走向的核心設備的掌控權。

阿斯麥

ASML的尖端設備堪稱工程奇蹟。其工作原理是向真空室噴射5萬滴熔融錫珠。每滴錫珠需經歷兩次雷射衝擊：第一次弱雷射脈衝將其壓扁為微型薄餅，第二次強雷射將其汽化。此過程使錫滴轉化為高溫等離子體，溫度高達攝氏22萬度（約為太陽表面溫度的40倍），並發射極短波長的極紫外光（EUV）。隨後，這種光線經過多層超平滑鏡面反射，聚焦於載有晶片電路藍圖的掩膜版，最終將設計圖案蝕刻到塗有感光化學物質的矽晶圓上。

ASML的設備對現代晶片製造不可或缺。台積電、三星和英特爾等巨頭依賴其生產從AI加速器到智慧型手機晶片的尖端處理器。目前沒有其他公司能可靠製造用於7奈米及更先進製程的光刻機。即便在成熟製程（14奈米及以上）領域，該公司設備市佔率也超過90%。

雖然ASML未揭露具體數字，但其最新EUV機型價格幾乎是前代兩倍。 Hyper-NA系統將更昂貴。儘管公司強調尚無量產保證，技術總監Jos Benschop認為若需求存在，Hyper-NA設備可能在5-10年內問世。

曾經的業界霸主佳能另闢蹊徑，押注奈米壓印（NIL）技術。此製程如同印刷機將電路模板直接壓印至晶圓，理論上能以奈米級精度、低成本和小體積挑戰EUV。其流程包括電子束刻製母版、液態樹脂滴注、紫外光固化等步驟。佳能稱其設備成本比EUV低40%，但面臨缺陷控制（模板微粒會導致整片晶圓缺陷）、層間對準精度（需奈米級對齊）、生產效率（目前每小時110片，僅為EUV的60%）等挑戰。

目前NIL在記憶體晶片和手機螢幕等領域取得了突破。佳能光學部門負責人岩本和紀認為，NIL可與EUV互補，在非精密環節可降低成本。隨著技術進步，這種顛覆性製程或催生更快、更節能的AI晶片。