根據韓國Money Today 報導，SK hynix 目前正在開發LPDDR5 的另一種變體。 這家DRAM 和快閃記憶體晶片的大型供應商公開披露了其LPDDR5 Turbo (T) 設計，可追溯到2023 年底，該迭代產品被宣傳為”世界上最快的行動記憶體標準”。

LPDDR5T (10533) 的首次公開展示是在去年二月的IEEE 固態電路大會上進行的。 目前，人們熟悉的LPDDR5X 標準在商業通路中非常普遍。 

業內人士認為，與目前的產品（X：1.05 V）相比，尚未公佈的LPDDR5M 標準工作電壓更低（據稱為0.98 V）。 鑑於其縮寫詞”低功耗雙倍資料速率”（Low Power Double Data Rate）的性質，這種記憶體類型最初設計時考慮的是高效運行，是行動應用的理想選擇。 

一位業內人士指出，公司內部討論強調了一個關鍵的百分比差異： “在最高速度下，LPDDR5M 的能效比LPDDR5X 高出約8%”。 最近的Money Today SK 相關新聞報告提到，舊的LPDDR4 標準被公司領導層歸類為”傳統產品”。 相比之下，LPDDR5 變體（據稱）被歸類為”高附加價值產品”。 

記憶體產業觀察家認為，LPDDR5M的傳聞是SK hynix策略的強化（和多樣化），SK hynix的策略已經包括LPDDR5X和LPDDR5T。 消息稱，LPDDR5M 記憶體注定會出現在具有板載人工智慧功能的下一代智慧型手機設備中。