ASML Twinscan EXE:5000 EUV是當今世界上最先進的EUV極紫外光刻機，支援High-NA也就是高孔徑，Intel去年搶先拿下了第一台，目前已經在俄勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩台，正在緊張地研究測試中。

Intel資深首席工程師Steve Carson透露，迄今為止，兩台EUV光刻機已經生產了3萬塊晶圓，當然不算很多，但別忘了這只是測試和研究使用的，並非商用量產，足以證明Intel對於新光刻機是多麼的重視。

Steve Carson也強調，完成同樣的工作，新光刻機可以將曝光次數從3次減少到只需1次，處理步驟也從40多個減少到少於10個，從而大大節省時間和成本。

Intel曾透露，新光刻機的可靠性是上代的大約兩倍，但沒有透露具體數據。

ASML EXE:5000光刻機單次曝光的解析度可以做到8nm，比前代Low-NA光刻機的13.5nm提升了多達40％，晶體管密度也提高了2.9倍。

當然，Low-AN光刻機也能做到8nm的分辨率，但需要兩次曝光，無論時間、成本或良品率都不夠划算。

在全速率量產的情況下，ASML EXE:5000光刻機每小時可生產400-500塊晶圓，而現在只有200塊，效率提升100-150％之多。

Intel將會使用High-NA EUV光刻機生產14A也就是1.4nm級製程產品，但具體時間與產品未定，有可能在2026年左右量產，或許用於未來的Nova Lake、Razer Lake。

將在今年下半年量產的Intel 18A 1.8nm工藝，仍舊使用現有的Low-NA EUV光刻機，對應產品包括代號Panther Lake的下代酷睿、代號Clearwater Forest的下代至強。

二者都已經全功能正常運行，並進行了客戶測試。