三星的目標是到2030 年憑藉其新型”多BV”NAND 設計製造出1000 層NAND。The Bell報告稱，該計劃涉及堆疊四個晶圓以克服結構限制。 晶圓鍵合技術在這項進展中起著至關重要的作用，三星打算利用它來突破1000 層大關。

三星電子DS 部門首席技術長Song Jae-hyuk 指出，晶圓鍵合技術允許在將外圍晶圓和單元晶圓連接成一個半導體之前分別進行生產。 這種技術可能會先出現在三星的第10 代NAND（V10）中，而業內專家認為，如果只採用單元結構，一個晶圓可以容納大約500 層NAND。 過去，三星一直使用COP（Cell on Peripheral）技術，這種方法是將外圍電路放在一個晶圓上，NAND 單元堆疊在上面。

三星的計劃包括與中國的長江儲存合作，該公司將為V10 NAND 提供混合鍵合專利。

ZDNet通報稱，這家韓國科技公司將於2025 年下半年開始大量生產V10 NAND，層數約420-430 層。 除了晶圓鍵合外，三星還在其NAND 計劃中增加了其他技術。 使用鉬的冷蝕刻技術和其他新思路將從400 層NAND 開始，並在發展到1000 層的過程中發揮關鍵作用。 

試試生產超高層NAND 產品的不只三星一家。 日本的Kioxia 公司也希望透過其”多層CBA”（CMOS 黏合陣列）技術實現這一目標。 該公司的計劃更加大膽​​，希望在2027 年銷售1000 層3D NAND。