長鑫儲存低調推出DDR5記憶體以來，更多內幕被挖掘出來，好消息也是接連不斷，甚至第二代HBM2高頻寬記憶體也有了重大突破。根據花旗銀行的分析報告，長鑫當初在DDR4的初期良品率只有20-30％，成熟後達到了90％。

由於DDR4上的豐富經驗，長鑫DDR5從一開始的良品率就有40％，目前穩定在80％左右，而且還在繼續改進，預計到明年底可以提升到90％左右。

長鑫目前在合肥有兩座內存工廠，Fab 1主要生產DDR4，使用的是19nm工藝，每月產能約10萬塊晶圓。

Fab 2專注於DDR5，用的是17nm工藝，目前月產能大概5萬塊晶圓，還在持續提升中，預計到明年可翻倍。

當然，三星、SK海力士等的DDR5記憶體已經升級到12nm工藝，所以長鑫仍有很大的提升空間。

此外，長鑫還在大力推進HBM高頻寬內存，一方面提升一代HBM的產能，另一方面二代HBM2已經取得重大突破，正在給客戶送樣，預計明年年中可小規模量產。

虽然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E，并即将推出HBM4，但对于长鑫来说，能搞定HBM2仍然是里程碑式的，对于国产化AI硬件的发展至关重要，比如华为昇腾910系列加速器就依赖于HBM2。

根據早先報道，長鑫從今年第三季就開始採購HBM2生產設備，尤其是需要更先進的封裝技術，涉及TSV、KGSD等等。