美光（Micron）公佈了下一代HBM4 和HBM4E 製程的最新進展，該公司預計將於2026 年開始量產。 HBM4 有望帶來最先進的效能和效率數據，而這正是提升人工智慧運算能力的途徑。 美光與SK海力士和三星等公司一樣，也在爭奪HBM4 的主導地位，在最新的投資者會議上，該公司透露，他們的HBM4 開發已步入正軌，HBM4E 的”工作也已開始”。

美光錶示：

憑藉在成熟的1 β 製程技術方面的堅實基礎和持續投資，我們預計美光的HBM4 將在上市時間和能源效率方面保持領先地位，同時性能比HBM3E 提升50%以上。 我們預計HBM4 將於2026 年大量上市。

HBM4E 將緊隨HBM4 之後推出。 HBM4E 將透過採用台積電先進的邏輯代工製造工藝，為某些客戶提供客製化邏輯基礎晶片的選擇，從而為記憶體業務帶來模式轉變。 我們預計這種定制能力將提高美光的財務表現。

HBM4在許多方面都具有革命性意義，但值得注意的一點是，業界計劃將記憶體和邏輯半導體整合到一個封裝中。 這意味著不再需要封裝技術，而且鑑於單一晶片將更接近這種實現方式，它將被證明具有更高的性能效率。 這就是美光提到他們將使用台積電作為”邏輯半導體”供應商的原因，與SK Hynix 採用的供應商類似。

美光也提到了HBM4E 製程的存在，成為唯一一家與SK Hynix 一起率先披露該技術發展的公司。 雖然我們目前還不清楚美光的HBM4 產品線規格，但該公司透露，HBM4 預計將堆疊多達16 個DRAM 晶片，每個晶片的容量為32 GB，並採用2048 位寬接口，這使得該技術比上一代產品更優越。

在應用方面，HBM4 預計將與AMD 的Instinct MI400 Instinct 系列一起出現在英偉達的Rubin AI 架構中， 目前，HBM 的需求正處於高峰期，美光公司自己也透露了到2025 年的生產線預訂情況，因此，未來甚至會更加光明。