根據韓國媒體通報，三星電子正加速佈局下一代DRAM技術，在第六代DRAM尚未量產之際，已著手建立第七代（1d）DRAM的測試線。報告稱，三星已在平澤P2廠建造10奈米級的第七代DRAM測試線，並預計明年第一季完全建成，以提高良率並拉開與競爭對手的技術差距。

這條被稱為「單路徑線」的測試線，將用於測試新半導體產品的量產潛力，一旦下一代晶片性能在研發階段確定，就會在此引進晶圓，開始提高量產良率。

目前尚不確定平澤10奈米級第七代DRAM廠房的規模，但通常安裝測試線每月可處理約1萬片晶圓。

三星計畫在2026年前量產第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM計畫明年（2025年）量產，因此，第七代測試線與第六代DRAM量產的準備工作同步進行。

業界認為，三星在第六代DRAM還未進入量產階段前就為第七代建造廠房，是為了明年重奪優勢的起步年所進行的投資。

三星HBM市場被第二大公司SK海力士奪走，10奈米第六代記憶體的開發速度也落後對手，為了奪回領導地位，三星必須加快產品開發速度。