NVIDIA GB300晶片量產受阻元件有嚴重過熱問題
根據分析師郭明錤的最新投資研究報告,NVIDIA正在為其下一代AI伺服器GB300和B300開發測試DrMOS技術,但在此過程中遇到了元件過熱的問題。具體來說,AOS公司提供的5×5 DrMOS晶片存在嚴重的過熱問題,可能會影響到GB300和B300系統的量產進度,並改變市場對AOS訂單的預期。
郭明錤指出,NVIDIA優先測試AOS的5×5 DrMOS,旨在增強對MPS公司的議價能力並降低成本,同時也因為AOS在5×5 DrMOS設計和生產方面擁有豐富的經驗。
供應鏈訊息顯示,AOS的5×5 DrMOS過熱問題不僅源自於晶片本身,也涉及系統晶片管理等其他方面的設計不足。
如果AOS無法在規定時限內解決此問題,NVIDIA可能會考慮引進新的5×5 DrMOS供應商,或轉向使用5×6 DrMOS。
後者成本較高,但具備較佳的散熱效能,有利於MPS公司,後者在5×6設計上擁有技術優勢,最嚴重的情況是,此問題可能導致GB300/B300系統的量產延期。
NVIDIA計畫在2025年中期推出其全新一代AI伺服器「BlackwellUltra」GB300,在散熱系統上進行了前所未有的創新,採用全水冷設計,意在突破AI算力的局限。
DrMOS技術是將驅動器和MOSFET整合在一個晶片上,主要用於電壓調節器,提高電源系統的效率和效能。