今天Intel發文介紹了在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子裝置會議）上展示的多項技術突破。在新材料方面，減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，有助於改善晶片內互連。

Intel代工也率先展示了一種用於先進封裝的異質整合解決方案，能夠將吞吐量提升高達100倍，實現超快速的晶片間封裝（chip-to-chip assembly）。

此外，Intel代工也展示了矽基RibbionFET CMOS （互補金屬氧化物半導體）技術，以及用於微縮的2D場效電晶體（2D FETs）的閘氧化層（gate oxide）模組，以提高設備效能。

在300毫米GaN（氮化鎵）技術方面，Intel代工也持續推進研究，製造了業界領先的高性能微縮增強型GaN MOSHEMT（金屬氧化物半導體高電子遷移率電晶體）。

可以透過減少訊號損失，提高訊號線性度和基於基板背部處理的先進整合方案，為功率裝置和射頻裝置等應用帶來更強的效能。

Intel代工也認為，以下三個關鍵的創新著力點將有助於AI在未來十年朝著能效更高的方向發展：

先進記憶體整合（memory integration），以消除容量、頻寬和延遲的瓶頸；

用於優化互連頻寬的混合鍵結；

模組化系統（modular system）及對應的連接解決方案