SK 海力士計劃使用台積電的3 奈米製程生產第六代高頻寬記憶體晶片（HBM4），從而改變了最初使用5 奈米技術的計劃。 根據《韓國經濟日報》報道，這些晶片將於2025 年下半年交付給英偉達公司，英偉達的GPU 產品目前基於4 奈米HBM 晶片。

SK Hynix 於3 月推出的HBM4 原型晶片在3 奈米晶片上實現了垂直堆疊。與5 奈米基礎晶片相比，基於3 奈米的新型HBM 晶片預計將提高20-30% 的性能。 不過，SK Hynix 的通用HBM4 和HBM4E 晶片將繼續使用與台積電合作的12 奈米製程。

雖然SK Hynix 的第五代HBM3E 晶片使用的是自己的基礎晶片技術，但該公司已為HBM4 選擇了台積電的3 奈米技術。 預計這項決定將大大拉大與競爭對手三星電子的性能差距，後者計劃使用4 奈米製程製造HBM4 晶片。

SK hynix 目前在全球HBM 市場處於領先地位，佔有近50% 的市場份額，其大部分HBM 產品已交付給英偉達公司（NVIDIA）。