北京時間12月2日晚間，美國《聯邦公報》網站公佈了由美國商務部工業和安全局（BIS）修訂的新的《出口管制條例》（EAR），正式將140家中國半導體相關企業列入了實體清單（詳見《140家中國半導體企業被列入實體清單，影響幾何？（附完整名單）》）。同時，BIS也針對多項技術、半導體設備和HBM（高頻寬記憶體）新增了管控條款。

新增內容具體如下：

1.針對半導體製造設備的新增管控

半導體製造設備是這次規則更新的核心領域之一。美國商務部在此次規則中新增了多個ECCN（出口管控分類編號），同時對部分現有ECCN進行了技術參數修改。這些變化涵蓋了關鍵設備類別及其技術門檻。

首先是離子注入設備（Ion Implantation Equipment）的新增管控。 ECCN 3B993.b.1新增了「等離子摻雜設備」的管控條款，該設備主要用於3D結構（例如FinFET或GAAFET）側壁摻雜，要求設備必須具備射頻（RF）和脈衝直流電源，適用於多種類型的n型或p型摻雜。此外，ECCN 3B994.b.2專門針對低能量、高精度離子注入設備進行了管控，這類設備是先進節點晶片製造中超淺結形成的關鍵技術設備。

其次是高縱橫比蝕刻設備（High Aspect Ratio Etch Equipment）的新增限制。 ECCN 3B993.c.1和3B993.c.2明確規定，能夠處理縱橫比大於30:1且特徵尺寸小於40奈米的蝕刻設備將受到管控。此類設備廣泛應用於製造先進節點半導體裝置（例如邏輯晶片和儲存晶片）。

原子層沉積設備（Atomic Layer Deposition， ALD）的新增管控同樣是本次更新的重點之一。 ECCN 3B001.d.18新增了對鉬（Mo）和釕（Ru）等金屬沉積設備的管控，這些設備被認為是製造低電阻金屬互連的關鍵技術。此外，ECCN 3B993.d.4則主要針對用於支援高縱橫比結構的介電材料沉積設備，特別是用於先進DRAM記憶體晶片生產的設備。

在光刻設備方面，ECCN 3B001.f.5新增了對疊層精度小於1.5奈米的奈米壓印光刻設備的管控；ECCN 3B993.f.2則針對疊層精度在1.5至4奈米之間的低階奈米壓印設備進行了限制。光刻設備是晶片製造的核心設備，其精度直接影響晶片的性能和成本。

此外，單晶圓清洗設備（Single Wafer Cleaning Equipment）的管控也有所加強。 ECCN 3B001.p.4新增了超級臨界二氧化碳清洗和昇華乾燥清洗設備的管控，這些設備對於先進節點積體電路生產中的精密清洗至關重要。

在本次規則中，ECCN 3B993和3B994被明確列入「註腳5」外國直接產品規則（FN5 FDP​​）。即使這些設備在外國製造，但如果使用了受美國管控的核心技術或工具，也需要獲得出口許可。特別要注意的是，即使設備未直接出口到中國，但被用於支援「先進節點積體電路」（Advanced-Node IC）的生產活動時，也必須遵守EAR的授權要求。

2、新增兩項外國直接產品（FDP）規則及對應「最低含量」條款

半導體製造設備（SME）FDP規則：此規則適用於特定外國製造的半導體製造設備及其相關物項，當這些物項計劃出口至澳門或EAR中的D:5組國家（包括中國）時，需要符合美國出口管控規定。規則要求管控對象包括透過使用美國技術、軟體或工具直接生產的商品，以及包含由此類技術生產的關鍵零件的商品。

實體清單註腳5FDP規則：此規則針對實體清單中標註有「註腳5」（FN5）的實體，管控與這些實體相關的外國製造的半導體製造設備及其相關物項。尤其是，這些規則涉及透過美國原產技術或工具直接生產的商品，以及包含此類零件的商品，確保其不能間接支援中國的先進節點積體電路生產。

最低含量條款明確了上述規則的進一步補充。當外國製造的半導體設備及相關物項中包含任何比例的美國原產積體電路時，該物項將納入EAR管轄範圍。

3.先進計算晶片與相關技術的管控

此規則更新對ECCN 3A090.a和3A090.b的核心技術參數未作直接調整，但透過明確許可例外適用條件、新增「腳註5」規則的適用範圍，以及新增與高頻寬記憶體（HBM ）相關的管控，進一步強化了對先進運算晶片的出口限制。

首先，在資料中心用途方面，規則對設計或市場化用於資料中心的晶片進一步明確了管控要求。對於未設計或市場化用於資料中心的晶片，即便其技術參數符合3A090.a或3A090.b（例如總處理性能≥4800或效能密度≥1.6），在部分情況下仍可享有NAC/ACA許可例外。然而，如果晶片被明確設計或市場化用於資料中心，則出口至中國或其他被列為D:5的國家和地區時，必須獲得出口許可，不得適用NAC/ACA許可例外。

此次新增的“脚注5”规则（FN5 FDP）在先进计算芯片领域的适用范围进一步扩展，特别是对ECCN 3A090.a和3A090.b芯片的间接管控得到了显著加强。根据新规则，凡符合3A090.a或3A090.b技术参数的芯片，如果涉及“脚注5”实体（即EAR附录4部分实体清单中标注Footnote 5的企业或机构），即使这些芯片是在外国生产，但如果使用了美国技术或软件进行直接生产，也必须获得出口许可。除了直接出口限制外，该规则还覆盖了间接出口的场景，例如外国制造的高性能芯片被用来开发或生产“脚注5”实体的产品时，相关交易行为也必须符合EAR的许可要求。

從技術分級的角度來看，規則進一步對3A090.a和3A090.b進行了細化。 3A090.a主要管控總處理性能（TPP）≥4800的高效能運算晶片，這類晶片通常應用於AI訓練、超級運算和資料中心。而3A090.b則管控總處理性能在2400至4800之間，且效能密度≥1.6的晶片，這些晶片主要涵蓋中高階運算應用場景，例如邊緣運算或嵌入式AI設備。

在定義上，新規則也對「先進節點積體電路」的技術標準進行了更新，特別是對DRAM（動態隨機存取記憶體）部分的判定標準進行了調整。先前，針對記憶體晶片的「18nm半節距或更小」的製程節點限制標準已被刪除，取而代之的是兩個具體的技術指標：

一是儲存單元的面積小於0.0019μm；

二是儲存密度大於0.288GB/mm²。

這些標準適用於所有DRAM製造工藝，且滿足任一條件即被認定為先進節點積體電路。為了計算儲存密度，規則提供了一套明確的運算方法，即以儲存容量（以GB為單位）除以封裝或堆疊的佔地面積（以mm²為單位）。對於採用堆疊式封裝的記憶體，則使用整個封裝的佔地面積作為計算依據。

4.將高頻寬記憶體（HBM）的納入管控

高頻寬記憶體（HBM）作為支援高效能運算（HPC）、AI訓練和超級運算的重要零件，此次被單獨列入ECCN 3A090.c進行管控。規則對HBM的出口施加了嚴格限制，其核心管控參數為「記憶體頻寬密度」大於每平方毫米2GB/s。需要注意的是，這項標準涵蓋了目前市場上幾乎所有用於高效能運算的HBM產品。

為了方便企業理解和執行，規則新增了技術說明，明確如何計算HBM的「記憶體頻寬密度」。計算公式為：記憶體頻寬（Gb/秒）÷ 封裝面積（mm²）。例如，對於一塊封裝面積為100mm²、記憶體頻寬為300GB/s 的HBM，其「記憶體頻寬密度」為3GB/s/mm²，這將觸發出口管控要求。如果HBM被封裝在一個多晶片模組（MCM）中，則需要使用整個封裝設備的總面積進行計算。

儘管HBM受到了嚴格管控，但規則也為某些特殊場景提供了例外。例如，如果HBM與邏輯晶片共同封裝，且邏輯晶片的主要功能是計算而非存儲，則HBM可能不單獨受到出口限制。此外，如果HBM被整合在符合3A090.a或3A090.b許可例外條件的晶片中，則HBM的出口可能享有與該晶片相同的豁免。 （相關企業可參考3A090.a或3A090.b許可例外條件）

也就是說英偉達等廠商的對華特供的AI晶片上封裝的HBM是不受限制的，即英偉達的H20之類的AI晶片上封裝的HBM不受該規則影響，適用於之前的針對AI晶片的3A090a 和3A090b規則限制，即對於性能密度和頻寬的限制。

為了進一步細化管控標準，規則也明確了許可審查政策的細節。在推定批准的情況下，出口的HBM必須滿足以下條件：最終用戶和最終母公司均不位於澳門或其他D:5國家和地區（主要針對中國）；內存頻寬密度小於3.3GB/s/mm²；具有明確的民用最終用途；並直接出口至指定的封裝設施。而在推定拒絕的情況下，如果最終使用者或其母公司位於D:5國家或地區，或無法確認最終用途，或涉及實體清單中的企業，則相關出口請求將被拒絕。

5.新增許可例外機制

此規則新增了兩種重要的出口許可例外機制，分別是針對HBM許可例外（License Exception HBM， §740.25）和針對特定實體的受限製造設施許可例外（Restricted Fabrication Facility， §740.26）。

HBM許可例外允許企業在滿足特定條件的情況下出口HBM。首先，HBM的記憶體頻寬密度必須小於3.3GB/s/mm²；其次，HBM必須直接出口至特定的封裝設施，且封裝方需確認相關交易，並將設備交回給晶片設計公司。規則也對HBM許可例外的適用範圍進行了限制，例如禁止出口至分銷商，以及禁止出口至與「先進節點IC生產」設施直接關聯的封裝工廠。此外，如果發現HBM交易中存在1%以上的數量差異，企業需在60天內向BIS報告。

受限製造設施許可例外（RFF）則針對實體清單中某些特定企業的出口活動。此例外機制適用於未列入ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994及相關軟體技術管控範圍的設備。 RFF許可例外明確禁止用於支援「先進節點積體電路」的生產，且不得用於管控設備的運作、安裝、維護或維修。此外，企業在進行相關交易前需提前45天向BIS提交通知，並在設備安裝後30天內提交報告。每年，企業也需向BIS遞交確認報告，以證明相關設備未用於先進節點IC的生產。

6.新增EDA軟體和技術管控

此次規則明確規定，凡涉及設計先進節點積體電路的電子電腦輔助設計（ECAD）和技術電腦輔助設計（TCAD）軟體，無論是否為美國原產，若其生產流程或技術包含了美國原產技術或工具，則需符合EAR的出口許可要求。尤其是在軟體和技術計劃出口至澳門或D:5組國家（包括中國）的情況下，其出口行為將受到嚴格監管。

这些新增管控特别针对设计先进节点集成电路（例如FinFET或GAAFET结构）的软件和技术。这些工具广泛应用于高性能计算、人工智能及超级计算领域，能够显著提升芯片的设计能力。

7.軟體密鑰的新管控要求

此規則新增了對軟體金鑰（Software Keys）的具體定義和管控需求。軟體金鑰包括允許使用特定軟體的授權金鑰，以及用於更新現有軟體和硬體使用許可的金鑰。根據新規，軟體金鑰的管控等級與其對應的軟體或硬體相同。如果某項軟體或硬體需要出口許可，則其對應的軟體金鑰也需要相同等級的許可。

新規也對軟體金鑰的特殊情況進行了說明。如果最初出口時不需要許可，但後續因最終使用者被列入實體清單或其他原因導致許可要求發生變化，則後續提供的軟體金鑰也需要符合新的許可要求。同時，規則明確指出，解鎖設備潛在功能的密鑰（例如用於提升設備性能的密鑰）可能會影響設備的分類，從而觸發額外的管控要求。

8.新增紅旗警示機制

為了進一步幫助企業識別潛在的出口管控風險，此規則新增了8個紅旗警示場景。這些場景主要針對涉及「註腳5」實體和高風險交易的情形，對於企業出口合規審查具有重要指導意義。

第一，非先進節點製造設施訂購先進節點IC生產設備。

如果客戶的製造設施技術水平較低，但訂購了用於生產「先進節點積體電路」（Advanced-Node IC）的高端設備，例如先進光刻機或離子注入設備，這種技術需求的矛盾性可能表明客戶計劃升級其設施，或將設備轉移用於支援先進節點IC的生產。對此，企業需特別留意這類訂單，並對客戶背景以及最終用途進行深入核查。

第二，訂單中最終用途或最終用戶資訊模糊。

當收到客戶訂單時，若客戶未能明確說明設備的最終用途或最終用戶，尤其是涉及高度客製化或敏感設備的交易，則存在設備被轉移至受管控目標的風險。例如，某些客戶可能故意隱瞞設備的實際用途或最終使用者背景，企業需對此進行進一步審查，並視情況向BIS提交相關資訊。

第三，客戶管理階層或技術團隊與實體清單上的企業存在人員重疊。

如果客戶的高階主管或技術團隊成員與被列入實體清單的公司（特別是標註「註腳5」的實體）有直接或間接關聯，這可能表示客戶正在從事或支援與受管實體相關的敏感活動。企業在盡職調查過程中需仔細檢視客戶的人員背景，尤其是在技術研發或管理層級的交叉關聯。

第四，設備或技術的最終用戶位置有風險。

如果企業發現設備或技術的最終用戶設施與生產「先進節點IC」的設施透過實體方式直接相連，例如共享基礎設施或透過橋樑、隧道等方式連接，則可能存在敏感技術或設備被共享的風險。此類情況需提交至BIS進行進一步審查。

第五，客戶或中間商要求隱藏最終使用者身分。

若客戶或中間商在交易中刻意隱藏最終用戶身份，或未提供完整的採購鏈訊息，則可能表示設備或技術存在被轉移至受管控目標的風險。企業需警惕這類訂單，並透過補充文件或訪談確認最終使用者背景。

第六，請求提供敏感設備的服務支援。

如果客戶要求對已出口的敏感設備進行升級、維護或改造，尤其是這些設備可能被第三方修改以實現更高的技術性能，則可能違反出口管制規則。例如，某些客戶可能透過設備升級繞過管控限制，進而提升其技術能力。

第七，客戶設備採購量異常。

當客戶的採購量明顯超出其實際生產能力，或訂單中包含多套相同類型的受控設備時，可能表示客戶計劃將設備轉移至其他受控終端用戶。例如，一個中小型企業訂購大量先進蝕刻設備，明顯超出其產能範圍，企業需對此進行深入調查。

第八，新客戶背景不明。

如果客戶是新成立的公司或從未合作過的經銷商，且無法提供明確的業務背景或詳細用途說明，尤其是當客戶訂購高端設備時，企業需特別注意。此外，新客戶的實際控制人或資金來源模糊也可能構成風險警告。

新增紅旗機制的8個場景為企業提供了識別潛在出口管控風險的具體指引。這些場景不限於上述情形，企業在實際操作中還需結合其他因素，綜合評估訂單的合規性。

9.三家中國企業移除VEU

VEU (Validated End-User) 是美國商務部設立的授權機制，允許經過認證的企業無需單獨申請許可即可接收特定的受控商品、軟體或技術。被列入VEU 的企業需符合嚴格的條件，確保出口商品僅用於非軍事和非敏感用途，並接受定期審查。

本次從VEU 專案中移除的三家中國企業分別是：

· Advanced Micro-Fabrication Equipment， Inc.；（中微半導體設備（上海）股份有限公司）

· CSMC Technologies Corporation；（華潤微電子有限公司）

·Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation.（上海華虹宏力半導體製造有限公司）

10、30多個國家獲得豁免：

需要指出的是，荷蘭、日本、義大利、法國、加拿大、德國、英國、西班牙等30多個國家都獲得了美國商務部的豁免，不受週一發布的新規影響。

據一位美國商務部高級政府官員稱，週一公佈的管制措施限制向中國出售20多種製造設備和3種軟體工具，但有能力自行實施此類管制的國家/地區可以豁免。這位官員說，此舉是為了日本和荷蘭這些國家製定類似的限制措施開闢道路，但韓國尚未獲得豁免。日本和荷蘭還沒有公開表示他們會這樣做。

多家被列入實體清單企業回應

華大九天於12月3日早間發佈公告稱，公司關注到美國商務部於當地時間2024年12月2日公佈信息，美國商務部工業和安全局將140家實體列入“實體清單”，進行出口管制。公司及相關子公司被列入實體清單。根據美國《出口管理條例》的規定，被列入「實體清單」的企業，採購該條例管制的物項，供應商需事先向美國商務部申請出口許可。

針對被列入「實體清單」可能發生的風險，華大九天表示，公司正在積極應對。自公司成立以來，始終專注於EDA領域，累積了豐富的產品和技術經驗，並建立了良好的市場形象和客戶口碑。本公司EDA工具軟體所涉及的核心技術來自於公司自有專利及自研所形成的技術，公司擁有相關技術的完整權利，能夠保證公司業務經營的獨立性、完整性及其技術服務的安全可靠性。本公司嚴格遵守國際商業慣例及法律法規，合規開展業務。本次被美國列入實體清單的影響力整體可控。目前公司經營及財務狀況正常，各項業務穩定推進。公司將抓住發展契機，加速推動全流程EDA工具的國產化進程。

北方華創也於3日早晨回應稱，公司近幾年主要圍繞供應鏈可控，佈局發展。 “目前公司營收的90%在國內市場，海外市場還不到10%，預計本次影響較小。”

中科飛測3日早晨表示，公司在四、五年前已經提前佈局應對外部措施，主要就零件生產製造和銷售兩方面。 “一方面，我們的關鍵零件已經實現全自產，銷售區域也主要面向國內市場。這次外部管制預計不會對公司有較大影響。”

萬業企業於3日回應稱，此次公司旗下子公司凱世通被列入實體清單對公司供應端的影響不大。凱世通自2020年起就已經啟動了因應措施，進行離子注入機國產零件的開​​發與驗證工作，一方面，積極加強核心零件的國產化合作，提高零件國產化率；另一方面，公司提前備貨部分核心零件保障供應鏈安全。此外，公司新控股股東先導科技集團在半導體產業鏈的上下游資源方面擁有深厚積累，不僅能為凱世通提供電子材料、關鍵零部件、離子源工藝測試的供應鏈支持，同時可以幫助凱世通實現機台的原位檢測。

南大光電於3日上午回應稱，美國新一輪實體清單對南大光電正常生產經營活動無實質影響。材料採購方面，公司完全採用國內供應鏈。自主研發銷售方面，外銷佔比不超過10%。

聞泰科技3日回應稱，考慮發佈時間較短，公司目前基於現有資訊做了初步評估。經公司法務及第三方律師初步評估，依據相關管制規定，一般實體清單的限制物項相對有限，向客戶銷售產品和提供服務不會因清單受到直接限制。後續公司會持續關注與評估相關影響，並與供應商和客戶保持積極溝通。

中國外交部：堅定維護中國企業的正當合法權益

12月2日，對於美方發布的對華半導體出口管制措施，外交部發言人林劍回應稱，我們已多次就這個問題表明立場。中方一貫堅決反對美方泛化國家安全概念，濫用出口管制的措施，對中國進行惡意封鎖和打壓，這種行為嚴重違反市場經濟規律和公平競爭的原則，破壞國際經貿秩序，擾亂全球產供鏈的穩定，最終損害的是所有國家的利益。中國將採取堅決措施，堅定維護中國企業的正當合法權益。

中國商務部：將採取必要措施，堅決維護自身正當權益

12月2日，中國商務部新聞發言人表示，美方將中國實體增列至出口管制實體清單，還拓展長臂管轄，對中國與第三國貿易橫加干涉，是典型的經濟脅迫行為和非市場做法。美方說一套做一套，不斷泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，實施單邊霸凌行徑。中方對此堅決反對。半導體產業高度全球化，美方濫用管制措施嚴重阻礙各國正常經貿往來，嚴重破壞市場規則與國際經貿秩序，嚴重威脅全球產業鏈供應鏈穩定。包括美國企業在內的全球半導體業界都受到嚴重影響。中方將採取必要措施，堅決維護自身正當權益。

商務部：禁止兩用物項對美國軍事使用者或軍事用途出口

12月3日，中國商務部發佈公告稱，根據《中華人民共和國出口管制法》等法律法規有關規定，為維護國家安全和利益、履行防擴散等國際義務，決定加強相關兩用物項對美國出口管制。

一、禁止兩用物項對美國軍事使用者或軍事用途出口。

二、原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關兩用物項對美國出口；對石墨兩用物項對美國出口，實施更嚴格的最終用戶和最終用途審查。

任何國家和地區的組織和個人，違反上述規定，將原產於中華人民共和國的相關兩用物項轉移或提供給美國的組織和個人，將依法追究法律責任。該公告自公佈日起正式實施。