美國《聯邦公報》網站公佈了由美國商務部工業和安全局（BIS）修訂的新的《出口管制條例》（EAR），在正式將140家中國半導體相關企業列入了實體清單的同時，也公佈了高頻寬記憶體（HBM）的出口管制規則。

隨著生成式人工智慧（AI）的持續火爆，市場對於高性能AI晶片的需求暴漲，這也直接帶動了此類AI晶片內部所整合的HBM（高頻寬記憶體）需求的爆發。所謂HBM，是指透過多個DRAM芯粒3D堆疊而成的，具備高頻寬、高儲存密度、低功耗和緊湊尺寸等優勢。 HBM往往與GPU、AI ASIC直接整合封裝在一顆晶片當中，這也直接提升了資料搬運的效率，無論在AI和HPC應用中，其帶來的高頻寬、高容量、低時延特性，對大模型訓練和推理效率的提升至關重要。

對美國來說，為了阻止中國AI產業的發展，自2022年10月就開始推出限制政策，直接限制中國取得外部先進的AI晶片以及內部製造先進AI晶片的能力。而HBM作為高性能AI晶片所需的關鍵元件，自然也就成為了美國限制的一個面向。

在BIS最新公佈的限制規則當中，對於先前針對記憶體晶片的「高階節點積體電路」限制進行了更新，加入了新的限制規則。具體來說，包括符合以下任何標準的積體電路都將受到限制：

（1） 使用非平面電晶體架構或具有16/14奈米或更小「生產」「技術節點」的邏輯積體電路；

（2） 128層或更多層的NAND記憶體積體電路；或

（3） 動態隨機存取記憶體（DRAM）積體電路，具有：（i） 儲存單元面積小於0.0019µm²；或（ii）記憶體密度大於0.288Gb/mm²。

可以看到，新增的第三條限制就是針對HBM的，因為HBM就是將多個DRAM透過TSV製程堆疊封裝在一起，因此其儲存單元面積和密度必然會比較高。

新規則不僅適用於美國原產的HBM ，同時還將限制根據先進計算外國直接產品(FDP) 規則受EAR 約束的外國生產的HBM。新規中規定僅當3A090.c 項的Memory bandwidth density小於3.3 GB/s/mm² 時，才可獲得HBM例外以進行出口、再出口或轉讓（國內）。只有小於此參數的HBM 才可獲得例外許可授權。

此許可例外授權出口、再出口和轉讓（國內），前提是：(1) 出口、再出口或轉讓（國內）由包裝場所完成，即使包裝場所位於受關注的國家境內，也由美國或盟國總部的公司擁有和運營，從而減輕了對這些目的地的國家安全擔憂；(2) 美國或盟國總部的公司仔細追蹤包裝場所發送和返回的HBM，並解決差異或向BIS 報告。

依照分析，此限制將使得包括HBM2和HBM3、HBM3e等所有HBM晶片的對華出口將會受限。並且，SK海力士、美光和三星是全球主要的三家HBM供應商的相關HBM對華出口都將會受限。

不過，新增的規則只適用於單獨HBM堆疊，對於整個晶片封裝系統中的板載HBM則排除在外，也就是說英偉達等廠商的對華特供的AI晶片上封裝的HBM是不受限制的，即英偉達的H20之類的AI晶片上封裝的HBM不受該規則影響，適用於之前的針對AI晶片的3A090a 和3A090b規則限制，即對於性能密度和頻寬的限制。