作為一家領先的半導體製造公司，台積電積極致力於提高其即將推出的節點的效率，即使這些節點已經定型並準備進行大批量生產。 據一位名為Dr. Kim on X的台積電員工稱，最近的2 奈米N2 節點試運行顯示，與基準預期相比，生產良率提高了6%。台積電方面表示，當2025 年底開始量產時，這項進步將為公司客戶節省大量成本。

不過，關於是在SRAM 還是邏輯測試晶片上實現收益的具體細節仍未披露。 在台積電準備於1 月推出2 奈米技術穿梭測試晶圓服務之際，這時機尤其值得注意。 

根據台積電的預測，採用N2 製程製造的晶片功耗將降低25-30%，同時保持與N3E 節點相同的電晶體數量和頻率。 此外，此技術的性能可望提高10-15%，電晶體密度提高15%。

 N2 製程的一項關鍵創新是增強了GAA 奈米片電晶體的設計，與3 nm FinFET 電晶體相比，由於閘極可以從四面進行控制，因此靜電控制得到了改善，閘極漏電也有所減少。

 這項進步透過更好的閾值電壓調節能力，使更小的高密度電晶體也能保持可靠的性能。 距離全面量產開始還有大約七到八個月的時間，公司還有大量的時間來進一步優化製造工藝，並有可能實現更多的良品率改進，儘管這種可能性較小。