根據彭博社報道，美國眾議院週一通過了一項法案，將免除一些半導體製造項目需要滿足的聯邦許可要求，從而消除了外界對於環境評估和訴訟可能推遲國內晶片工廠建設的擔憂。

這項法案旨在加速美國半導體產業的建設，將送交美國總統拜登簽署。在2022年《晶片與科學法案》的激勵下，多家晶片公司已承諾在美國本土投資約4,000億美元建廠。英特爾、台積電等公司預計將從《晶片與科學法案》中獲得數以十億美元計的補貼，資助他們在美國各地的重大計畫。然而，這些補貼還尚未最終確定，而且要求半導體建設項目需遵循美國《國家環境政策法》(NEPA)的審查。

新法案主要豁免環境評估要求

眾議院週一通過的法案將放寬環保要求。長期以來，美國半導體行業官員和商務部長雷蒙多一直擔心，NEPA審查可能會對半導體建設項目造成數月或數年的延誤，並導致這些項目面臨訴訟風險。然而，環保團體則警告稱，不要讓晶片製造商繞過這一過程，理由是半導體產業的排放量不斷增加，環境代價也更大。

三種豁免方式

新法案公佈了《晶片與科學法案》資助的項目獲得《國家環境政策法》豁免的三種方式。第一種是在今年年底前開工建設，這是大多數主要建設項目應該能夠達到的門檻。一個例外是美光科技在紐約州的建設項目，該項目尚未滿足《清潔水法》和各州規定的許可要求。

其次，只接受貸款而不接受直接補助的項目將不接受NEPA的審查，這一條款目前尚未適用於任何《晶片與科學法案》激勵方案。第三，如果政府資助佔專案成本的比例低於10%(之前版本為15%)，則建設工程將獲得豁免。

在周一的投票之前，美國國會就這項擬議中的法律進行了一年多的爭論。晶片產業一直將該法案視為首要任務。去年夏天，作為一項更廣泛國防法案的一部分，參議院最初批准了NEPA對《晶片與科學法案》資助項目的豁免，但眾議院議長約翰遜在一些共和黨議員的反對下，在去年12月否決了這一條款。他們希望尋求更廣泛的授權改革，而不是為晶片產業設立單獨的豁免條款。作為回應，參議院隨後通過了一項獨立版本的法案，這就是眾議院週一批准的內容。