根據《印度商業線報》消息，美國和印度兩國正在加強他們在半導體等關鍵技術領域的合作關係，美國總統喬·拜登和印度總理納倫德拉·莫迪共同宣布了一項具有里程碑意義的協議——美國晶圓代工廠GlobalFoundries（GF）將在印度西孟加拉邦的加爾各答建立一個新的先進半導體製造廠，生產包括製造紅外線、氮化鎵和碳化矽在內的半導體產品。

具體來看，這個晶片製造廠將專注於先進感測、通訊以及國家安全、下一代電信和綠色能源應用的功率裝置，GF計劃探索與印度的長期跨境製造和技術合作夥伴關係，這將在兩國創造高品質的就業機會。

報告指出，該工廠的建設將得到「印度半導體使命」的支持以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術支援。

「行家說三代半」了解到，印度半導體使命（India Semiconductor Mission）是指印度政府為推動國內半導體產業發展而採取的一系列政策和措施。這些政策和措施旨在促進印度半導體產業的成長，包括吸引投資、鼓勵研發、培養人才和建設基礎設施等。

奧裡薩邦：將建造第二座SiC工廠

印度的另一個邦——奧裡薩邦也在本月的政府會議上新批准了12個重要的工業項目，這些項目的實施與印度半導體使命的目標相一致；奧裡薩邦政府批准了總計3927.15億盧比的投資，其中包括新建立一個SiC工廠。

根據最新批准的提案，該工廠由Silectric Semiconductor Manufacturing Pvt. Ltd.建設，該項目將與玻璃基板製造廠項目、印刷電路板(PCB)製造項目共同投資635.55億盧比（約53.7億人民幣），將創造2320個工作機會。

具體來看，Silectric 將建立一條完整的碳化矽製造產線，從碳化矽晶錠到晶圓、MOSFET到模組製造及封裝。此生產線將同時採用自有和代工服務模式，預計SiC外延、MOSFET及模組產能均為72000片/年。

據悉，該公司已向印度電子和資訊技術部（MeiTY） 提交了申請，最終產品將用作電動車、汽車和再生能源等領域。

值得一提的是，奧裡薩邦還建有一座SiC晶圓廠——由美國Silicon Power的印度子公司RIR Power Electronics Ltd投資62 億印度盧比（約5.25億人民幣）建設，該工廠已於本月初宣布奠基，主要聚焦於碳化矽元件和模組的製造、封裝。

印度政府發力SiC製造英飛凌也有意在此地建廠？

現階段，印度政府正努力推動晶片製造業的發展，近日德國政府、英飛凌也與印度電子和IT部門作了相關交流，或推動後續合作——

9月3日，德國政府、英飛凌以及印度電子和IT部長Ashwini Vaishnaw 在社交媒體上發帖，表示三方討論了功率半導體的發展。

Ashwini Vaishnaw表示，他與英飛凌團隊討論了SiC等功率半導體的開發；英飛凌也曾於8月透露，公司正在尋求將1400個工作崗位搬遷到勞動力成本較低的國家。