據媒體通報，長江存放在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功採用國產半導體設備替代部分美係設備。長江儲存自研Xtacking架構可讓3D NAND的層數堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名製造商相比，也具有極強的競爭優勢。

據悉，長江儲存已使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，成功製造出3D NAND快閃記憶體晶片。

TechInsights稱，雖然長江儲存仍繼續依賴ASML和泛林集團等外國供應商提供關鍵工具，但中國國產半導體設備供應商越來越多地承擔了生產流程的大部分。

不過長江儲存使用國產設備生產的最新NAND晶片在堆疊層數上做了相應的妥協，比早期產品少了約70層，且產量較低。

對此長江儲存在回應中表示，公司正在不斷優化產品性能，層數變化與設備產量無關，隨著製造流程、流程及經驗的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數。