工信部推廣國產DUV光刻機:套刻≤8nm
近日,工信部發布《首台(套)重大技術設備推廣應用指導目錄(2024年版)》。工信微報介紹稱,重大技術設備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。
中國首台(套)重大技術設備是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場績效的裝備產品,包括整機設備、核心系統及關鍵零件等。
而就在電子專用裝備目錄下,積體電路設備方面出現了氟化氬光刻機和氟化氪光刻機,這兩者皆屬於DUV光刻機。
其中氟化氬光刻機顯示為解析度≤65nm、套刻≤8nm;氟化氪則顯示解析度≤110nm、套刻≤25nm。
不過要注意的是,套刻精度為“多重曝光能達到的最高精度”,按套刻精度與量產製程約1:3的關係,這個光刻機大概可以量產28nm製程的晶片,大致相當於20年前ASML的1460K。
28nm雖然不是特別先進技術,但意義依然重大,因為這是晶片中低階和中高階的分界線,目前除了最先進的CPU、GPU、AI晶片外,其餘的工業級晶片大多都是28nm以上技術。