根據國家電力投資集團官方消息，近日，集團所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司核力創芯暨國家原子能機構核技術（功率晶片質子輻照）研發中心，完成了首批氫離子注入性能優化晶片產品客戶交付。

這標誌著，我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業鏈中缺失的重要一環，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。

工程師進行晶圓離子注入生產

氫離子注入是半導體晶圓製造中僅次於微影的重要環節，在積體電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品製造過程中扮演關鍵角色。

這一領域核心技術、裝備製程的缺失，嚴重限制了我國半導體產業的高端化發展，特別是600V以上高壓功率晶片長期依賴進口。

核力創芯在遭遇外國關鍵技術、裝備封鎖的不利條件下，在不到3年的時間裡，突破了多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術、100%裝備國產化，建成了我國首個核子技術應用與半導體領域交叉學科研發平台。

首批交付的晶片產品經歷了累計近1萬小時的製程、可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，並獲得用戶高度評價。