儘管華盛頓竭力限制中國的技術創新，但中國方面還是想辦法提高其晶片製造能力。對主導地位的競爭使半導體產業成為工業間諜活動的溫床。兩名前三星公司高層的被捕表明，這些盜竊活動變得多麼精心策劃。

韓國當局以工業間諜罪逮捕了兩名前三星電子高層。這次逮捕尤其令人震驚，因為這兩人涉嫌參與了一項精心策劃的計劃，在中國複製了整個晶片製造工廠。

對外披露的這兩名犯罪嫌疑人的身份資訊只有Choi和Oh兩個姓氏，他們被指控從三星竊取了價值32億美元的半導體技術。據稱，他們與中國官員合作成立了一家名為成都高真科技的合資企業，該企業將利用三星先進的晶片製造能力建立一家工廠。

據說，現年66 歲的三星前高階主管Choi 招募了韓國半導體專家，並協助洩漏了專有記憶體技術。曾任三星高級研究員的Oh 加入成都高真科技公司擔任首席工廠設計師，據說他在被指控的技術盜竊案中發揮了關鍵作用。

他們所追求的技術是三星的20 奈米DRAM（動態隨機存取記憶體）。根據警方的說法，犯罪嫌疑人竊取了這種先進記憶體晶片的藍圖，並設法早在2022 年4 月就開發了基本產品。

隨著調查的繼續，當局正在調查其他前三星員工在加入成都高真後是否可能竊取了智慧財產權。

韓國當局將這一事件描述為嚴重的國家安全漏洞，指出它損害了三星的利益，也削弱了韓國在正在進行的全球晶片大戰中的競爭力。

這些逮捕事件發生在中美兩國因半導體技術問題緊張局勢升級之際。同時，韓國發現自己必須在擔任華盛頓重要盟友的角色之間取得平衡，而華盛頓既要限制北京的技術野心，也要保持與中國的經濟聯繫。

這起案件與韓國一家科技公司員工因竊取商業機密被捕的類似事件如出一轍。去年5 月，SK hynix 一名前員工在韓國機場被捕，原因是她在離職前印製了3000 頁半導體製程數據。檢察官稱她打算將這些文件交給華為，但這名中國人否認了所有指控。