三星已開始量產用於下一代大容量固態硬碟的新型QLC V-NAND 晶片。該製造商在官方部落格中稱，其第九代QLC V-NAND 結合了人工智慧時代的”多項突破性技術”，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面實現了多項改進。

繼2024 年4 月開始生產的第九代TLC V-NAND 記憶體之後，三星又推出了新的1Tb quad-level cell (QLC) V-NAND 晶片。三星表示，新的QLC 晶片將”滿足人工智慧時代的需求”，尤其是在企業固態硬碟市場。三星公司快閃記憶體產品與技術執行IP SungHoi Hur 就該公司下一代QLC V-NAND 記憶體晶片的推出發表了以下看法：

QLC 第9 代V-NAND 的成功量產僅比TLC 版本晚四個月，這使我們能夠提供滿足人工智慧時代需求的全系列先進固態硬碟解決方案。隨著企業級固態硬碟市場的快速成長和人工智慧應用需求的不斷增長，我們將繼續透過我們的QLC 和TLC 第9 代V-NAND 鞏固我們在該細分市場的領導地位。

得益於三星的通道孔蝕刻技術，第九代四級單元的密度比上一代QLC V-NAND 晶片高出86%。三星也優化了各層單元特性，使資料保留效能提高了約20%。最後，由於採用了預測和控制儲存單元狀態的預測程式技術，晶片的輸入/輸出速度提高了約60%。

至於功耗這項行動裝置的關鍵特性，三星聲稱，由於採用了低功耗設計並降低了電壓要求，讀取和寫入能耗分別降低了30% 和50%。

雖然最初的重點是企業市場，但三星還計劃將第9 代QLC V-NAND 記憶體晶片的應用擴展到消費性產品，例如大容量固態硬碟和用於現代智慧型手機的UFS（通用快閃記憶體）。