Kioxia Corporation 今天宣布，採用第八代BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術的2 Tb（Tera bit）Quad-Level-Cell（QLC）記憶體裝置開始樣品出貨。這款2 Tb QLC 裝置具有業界最高容量，將儲存裝置提升到一個新的容量點，從而推動包括人工智慧在內的多個應用領域的成長。

憑藉最新的BiCS FLASH 技術，Kioxia 透過專有製程和創新架構實現了記憶體晶片的縱向和橫向擴展。此外，該公司還採用了CBA（CMOS 直接綁定到陣列）技術，實現了更高密度的裝置和業界領先的3.6 Gbps 介面速度。這些先進技術共同應用於2 Tb QLC 的製造，使其成為業界容量最大的儲存裝置。

與Kioxia 目前的第五代QLC 裝置相比，2 Tb QLC 的位元密度高出約2.3 倍，寫入能源效率高出約70%，是Kioxia 產品中容量最高的裝置。最新的QLC 裝置在單一記憶體封裝中採用16 片堆疊架構，實現了業界領先的4 TB 容量。它的封裝尺寸更小，為11.5 x 13.5 毫米，封裝高度為1.5 毫米。

除了2 Tb QLC，Kioxia 還在其產品組合中增加了1 Tb QLC 記憶體。與容量優化的2 Tb QLC 相比，效能優化的1 Tb QLC 的連續寫入效能提高了約30%，讀取延遲提高了約15%。 1 Tb QLC 將部署在高效能應用中，包括客戶端固態硬碟和行動裝置。

Kioxia 將繼續開發業界領先的記憶體產品，以滿足日益增長的資料儲存解決方案需求。