Intel官方宣布，Intel 3工藝(相當於3nm級別)已經投入大規模量產，用於至強6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本，下半年陸續登場，但不會用於酷睿。

Intel 3作為現有Intel 4的升級版，帶來了更高的晶體管密度和性能，並支援1.2V電壓的超高性能應用，不但用於自家產品，還首次開放對外代工，未來多年會持續迭代。

首先強調，Intel 3製程的定位一直是需要高性能的資料中心市場，重點升級包括改進設計的電晶體、電晶體通孔電阻更低的供電電路、與客戶的聯合優化等等，還支援0.6V以下的低電壓、1.3V以上的高電壓，以達到最大負載。

為了獲得效能、密度的最佳均衡，Intel也同時使用了240nm高性能函式庫、210nm高密度函式庫的組合－Intel 4只有前者。

客戶如果有不同需求，還可以在三種不同的金屬堆疊層數中選擇：1 4層的成本最低，18層的性能和成本最均衡，21層的性能最高。

此外，Intel 3製程的EUV極紫外光刻運用更加嫻熟，在更多生產工序中使用了EUV。

最終的結果是，Intel保證新製程可以在同等功耗、電晶體密度之下，比起Intel 4帶來最多18％的提升！

Intel之前也曾表示，Intel 3相比於Intel 4邏輯縮微縮小了約10％(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17％。

不過在關鍵尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接觸孔多晶矽閘極間距(CPP)都是50nm，鰭片間距、M0間距都是30nm，另外庫高度x CPP的面積除了12K，還增加了10.5K版本，也是為了優化效能和成本平衡。

Intel 3後續也會優化推出不同的版本，針對性強化某個角度：

Intel 3-T：重點介紹採用矽通孔(TSV)技術，針對3D堆疊進行最佳化。

Intel 3-E：擴展更多功能，例如1.2V原生電壓、深度N阱、長通道類比設備、射頻等，可用來生產晶片組、記憶體晶片等。

Intel 3-PT：在3-E的基礎上，增加9微米間距的矽通孔，以及混合鍵合，性能再提升至少5％，使用也更簡單，可用於AI、HPC晶片以及通用計算晶片。