根據《韓國經濟日報》（ Korea Economic Daily）的報道，三星準備在2025 年之前提供尖端的3D封裝服務，預計這是為將於2026 年推出的下一個HBM 內存標準HBM4 做準備。 “SAINT”封裝技術採用垂直堆疊法，確保下一代HBM4 記憶體標準的效能和效率大幅提升。

就三星3D 封裝的細節而言，它是2.5D 方法的後繼者，這一次，這家韓國巨頭不再使用矽插層來連接HBM 和GPU，而是決定透過將多個晶片堆疊在一起來實現垂直整合。三星計劃將其稱為SAINT（三星高級互連技術）平台，並將封裝分為三種類型：SAINT-S、SAINT-L 和SAINT-D。它們都處理不同的晶片，如SRAM、Logic 和DRAM。

與傳統的2.5D 相比，三星的3D 封裝技術具有多項優勢。透過垂直堆疊，該公司成功地縮小了晶片之間的距離，從而加快了數據傳輸的速度。垂直堆疊還能減少碳足跡，這也是廣泛採用此技術的另一個好處。

韓國媒體稱，三星在加州聖荷西舉行的”三星代工論壇2024″上展示了這項技術。這是該公司首次向大眾展示這項技術，因為英偉達（NVIDIA）和英偉達（AMD）宣布將推出各自的下一代人工智慧硬體。由於3D 封裝將與HBM4 一起使用，預計三星的服務將與英偉達的Rubin架構和AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。

三星也計劃到2027 年發布”一體化異質整合”技術。這項技術將實現統一的人工智慧封裝，整合商無需處理單獨的封裝技術。在蘋果之後，英特爾在其輕薄設計（如Lunar Lake CPU）中採用了非常以SoC 為中心的方法，而AMD 也在垂直堆疊領域非常活躍，其獨特的HBM、MCD 和3D V-Cache 堆疊橫跨多個晶片，可以廣泛滿足從消費市場到企業市場的各種客戶需求。