ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體製程推進到0.2nm左右，也就是2艾米。 ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。

該系列預計到2025年可以量產2nm，再往後就得加入多重曝光，預計到2027年能達到1.4nm的量產。

High NA光刻機升級到了0.55，對應產品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未來的5400、5600、5X00。

它們將從2nm以下製程起步，Intel首發就是14A 1.4nm，預計到2029年左右能過量產1nm，配合多重曝光可以在2033年前後做到0.5nm的量產，至少也能支持到0.7nm。

接下來的Hyper NA光刻機預計將達到0.75甚至更高，2030年前後推出，對應產品命名為HXE系列。

ASML預計，Hyper AN光刻機或許能做到0.2nm甚至更先進製程的量產，但目前還不能完全肯定。

值得一提的是，單一矽原子的直徑約為0.1nm，但是上邊提到的這些製程節點，並不是真實的電晶體物理尺寸，只是一種等效說法，基於性能、能效一定比例的提升。

比方說0.2nm工藝，實際的電晶體金屬間距大約是16-12nm，之後會繼續縮減到14-10nm。

另外，Low/High/Hyper三種光刻機會共同使用單一的EUV平台，大量的模組都會彼此通用，從而大大降低研發、製造、部署成本。

High NA光刻機的單台價格已經高達約3.5億歐元，Hyper NA光刻機必然繼續大幅漲價，而且越發逼近物理極限，所以無論技術還是成本角度，Hyper NA之後該怎麼走，誰的心裡都沒數。

微電子研究中心(IMEC)的專案總監Kurt Ronse 就悲觀地表示：「無法想像只有0.2nm尺寸的設備元件，只相當於兩個原子寬度。或許到了某個時刻，現有的光刻技術必然終結。