韓國SK海力士公司週四表示，正在製定明年的高容量記憶體（HBM）晶片的供應計劃，因為客戶正在提前發布產品計劃，以搭上人工智慧熱潮的順風車。

在最近一次負責HBM晶片的新任高階主管圓桌討論中，SK海力士副總裁與行銷負責人金基泰表示：「縱觀當前的市場形勢，大型科技客戶正在加快新產品的發佈時間，以確保在AI領域領先。，HBM是一種對生成式AI設備至關重要的高效能堆疊式DRAM晶片。

該公司是第一代於2013年開發第一代HBM晶片的記憶體供應商，並在隨後幾年推出了後續產品——HBM2、HBM2E 以及最新的第四代HBM3 晶片。 2023年4 月，SK 開發出全球首款12層HBM3 DRAM 產品， 記憶體容量為24 千兆位元組(GB)，為業界最大。 2023年8 月，該公司推出了業界性能最佳的第五代HBM DRAM HBM3E，用於AI 應用， 並向其客戶NVIDIA Corp. 提供了樣品以進行性能評估。

今年3 月，SK 海力士開始大批量生產HBM3E 晶片，這是業界推出的另一個公司，同時表示將把第六代HBM4 晶片的量產提前到2025 年。

大容量NAND 受到業界關注

SK 海力士副總裁兼HBM 製程整合（PI）負責人Kwon Un-oh 表示：“透過先發製人地確保技術和量產專業知識，我們已經能夠建立起穩固的競爭力。”

先進封裝開發部副總裁兼負責人Son Ho-young敦促公司為更好的記憶體和系統晶片的整合。

SK海力士表示，受AI學習和推理高階晶片需求不斷增長的推動，預計今年全球DRAM市場規模將達到65%，達到117兆韓元（850億美元）。

本月初，執行長Kwak Noh-jung在記者會上表示，其HBM晶片產能幾乎已預訂滿到明年。 SK海力士NAND先進製程整合副總裁Oh Hae-soon表示，NAND快閃記憶體是AI時代的另一個前景光明的部分

她表示：“隨著對大規模AI伺服器的需求不斷增長，eSSD等NAND解決方案開始受到業界關注。”

新興記憶體晶片

SK海力士革命技術中心(RTC)副總裁Yi Jae-yun表示，公司也密切關注新興記憶體晶片，如僅選擇器記憶體(SOM)、自旋記憶體和突觸記憶體，這些晶片具有超高速、高容量和較低的價格，以及磁性RAM (MRAM)、電阻式RAM (RRAM) 和相變記憶體(PCM) 晶片。

分析師表示，在記憶體晶片製造商中，SK海力士是AI應用爆炸性成長的最大受益者，因為它是NVIDIA Corp.的最大AI晶片供應商，而NVIDIA控制著80%的AI晶片市場。

SK集團董事長崔泰源最近在接受日本媒體日經新聞採訪時表示，如果SK海力士看到AI晶片融資需求，該公司正在考慮在韓國或美國建立HBM工廠的可能性。