台積電將能製造120mm*120mm的晶片
認為AMD 的Instinct MI300X 和Nvidia 的B200 GPU 很大嗎?再想想:台積電在北美技術研討會上宣布,該公司正在開發其晶圓上晶片(CoWoS)封裝技術的一個版本,該技術將使系統級封裝(SiP)的尺寸增大兩倍以上。代工廠預計,這些將使用120x120mm 的巨大封裝,並消耗千瓦的功率。
最新版本的CoWoS 允許台積電製造比光掩模(或稱光罩版,858mm2)尺寸約3.3 倍的矽中介層。因此,邏輯、8 個HBM3/HBM3E 記憶體堆疊、I/O 和其他小晶片最多可佔用2831 mm2。最大基板尺寸為80×80毫米。 AMD的Instinct MI300X和Nvidia的B200都使用這種技術,儘管Nvidia的B200處理器比AMD的MI300X更大。
下一代CoWoS_L 將於2026 年投入生產,將能夠實現約5.5 倍遮罩版尺寸的中介層(這可能不如去年宣布的6 倍遮罩版尺寸那麼令人印象深刻)。這意味著4719 mm2將可用於邏輯、最多12 個HBM 記憶體堆疊和其他小晶片。這類SiP 還需要更大的基板,根據台積電的幻燈片,我們正在考慮100×100 毫米。因此,此類處理器將無法使用OAM 模組。
台積電不會就此止步:到2027 年,它將擁有CoWoS 技術版本,該技術將使中介層的尺寸達到光罩尺寸的八倍或更多倍,這將為小晶片提供6,864 平方毫米的空間。台積電設想的其中一種設計依賴於四個堆疊式整合系統晶片(SoIC),與12 個HBM4 記憶體堆疊和額外的I/O 晶片相配合。這樣一個龐然大物肯定會消耗巨大的功率——我們這裡討論的是數千瓦,並且需要非常複雜的冷卻技術。台積電也預計此類解決方案將使用120x120mm 基板。
有趣的是,今年早些時候,Broadcom 展示了一款客製化AI 處理器,具有兩個邏輯晶片和12 個HBM 記憶體堆疊。我們沒有這款產品的具體規格,但它看起來比AMD 的Instinct MI300X 和Nvidia 的B200 更大,儘管沒有台積電2027 年計劃的那麼大。