根據韓國媒體報道，三星電子已與AMD 簽署了一項4.134 兆韓元（約30 億美元）的協議，為其提供12 層高的HBM3E 堆疊。 AMD 在其基於CDNA 架構的人工智慧和高效能運算加速器中使用HBM 堆疊。

這筆交易意義重大，因為如果分析師知道記憶體堆疊在AI GPU 的物料清單中佔多大比例，他們就能對AMD 準備推向市場的AI GPU 的數量有一定的了解。

考慮到競爭對手英偉達（NVIDIA）幾乎只使用SK 海力士（Hynix）生產的HBM3E，AMD 很可能已經為三星的HBM3E 12H 堆疊談好了價格。

隨著英偉達的”Hopper”H200 系列、”Blackwell”、AMD 的MI350X CDNA3 以及英特爾的Gaudi 3 生成式AI 加速器的推出，AI GPU 市場有望升溫。

三星於2024 年2 月首次推出了HBM3E 12H 記憶體。每個堆疊有12 層，比第一代HBM3E 增加了50%，每個堆疊的密度為36 GB。 AMD CDNA3 晶片有8 個這樣的堆疊，包裝上就有288 GB 記憶體。 AMD 預計於2024 年下半年推出MI350X。

這款晶片的最大亮點是採用台積電4 奈米EUV 代工節點製造的全新GPU 片，這似乎是AMD 首次推出HBM3E 12H 的理想產品。