在與五角大廈簽署第一階段”快速保證微電子原型RAMP-C 計畫”兩年半之後，英特爾又加深了與國防部的合作關係。英特爾、五角大樓以及由《CHIPS 法案》資助的國家安全加速器計劃現已同意合作生產只能在歐洲或亞洲製造的先進晶片製造流程的早期測試樣品。

這家晶片製造商今天稍早表示，有了RAMP-C，美國政府將能夠首次獲得領先的晶片製造技術。

RAMP-C 計畫的第三階段將涵蓋英特爾未來的18A 製造製程製造的原型。這些高階晶片製造流程通常用於消費性處理器，因為它們在運行運算和圖形重型應用時需要耗費大量電能。

為國家安全應用製造18A 晶片是英特爾與其DIB（國防工業基地）客戶合作的一部分。這些客戶包括承包商諾斯羅普-格魯曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微軟（Microsoft）、英偉達（NVIDIA）和國際商業機器公司（IBM）等消費企業。

該技術是英特爾的下一代製程節點，根據該公司高層先前的聲明，其前身（即20A 製程）應於2024 年投入生產。去年年底，英特爾公司執行長帕特里克-蓋爾辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工藝已提前實現量產。

同時，英特爾也發布了一份2022年12月的路線圖，兩個月後，英特爾又發布了另一份路線圖，詳細說明了18A工藝可在2024年下半年實現風險生產（或英特爾所稱的製造準備就緒）。 RAMP-C合約的第三階段強調了英特爾18A製程技術、智慧財產權（IP）和生態系統解決方案，為大量生產（HVM）做好了準備。

蓋爾辛格也宣傳英特爾18A 晶片卓越的電源管理能力，將其與台灣半導體製造公司（TSMC）的2 奈米技術相提並論。繼Intel 3製程之後，英特爾的晶片製程技術術語已轉向埃米級。

這意味著，純粹根據其行銷名稱進行比較，18A 晶片製程相當於1.8 奈米。在晶片製造中，越小越好，因為更小的電路能夠提高導電性和性能吞吐量。現代晶片在極小的空間內擠下了數十億個晶體管，與前代產品相比，可以處理更多的數據。

作為今天發布會的一部分，國防部微電子工程負責人Dev Shenoy 博士評論說，五角大樓預計”在2025 年展示英特爾18A 晶片的原型生產”。英特爾代工廠RAMP-C 的第三階段將集中在晶片設計的敲定。這是設計流程的最後階段，工程師將完成流程中的概念部分，並將工作轉向在生產流程中指導先進晶片製造設備的掩模。

本月早些時候，英特爾公司首次開啟了世界上最先進的晶片製造設備。這些被稱為高NA EUV 的機器將簡化設計流程，從而縮短晶片製造時間。