三星半導體今日宣布，其第九代1Tb TLC V-NAND快閃記憶體已開始量產。三星電子快閃記憶體產品與技術主管SungHoi Hur表示：「我們很高興推出三星首款第九代V-NAND產品，這將為未來應用的快速發展提供新的可能性。為了滿足持續演進的NAND快閃記憶體解決方案需求，三星在新型快閃記憶體的單元架構和操作方案上實現了重大突破。

據悉，第九代V-NAND快閃記憶體憑藉其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實現了比上一代產品高約50%的位密度。新技術的運用，如單元幹擾避免和單元壽命延長，不僅提升了產品的品質和可靠性，而且透過消除虛通道孔顯著減少了儲存單元的平面面積。

此外，三星展現了其在製造流程上的卓越能力，透過採用先進的「通道孔蝕刻」技術，該技術能夠在雙層結構中同時鑽孔，達到業界最高的單元層數，從而最大限度地提高了生產效率。隨著快閃記憶體單元層數的增加，對更複雜蝕刻技術的需求也日益凸顯。

值得一提的是，第九代V-NAND還配備了新一代的NAND快閃記憶體介面“Toggle 5.1”，使資料傳速速度提升了33%，最高可達到每秒3.2Gbps。同時，三星也計劃透過增強對PCIe 5.0的支援來進一步鞏固在高效能固態硬碟市場的地位。

與上一代相比，第九代V-NAND在低功耗設計上也取得了顯著進步，功耗降低了10%，這項改進使得新型快閃記憶體成為未來低能耗應用的理想選擇。

目前，三星已經開始了第九代1Tb TLC V-NAND的量產，並計劃在今年下半年推出四層單元（QLC）的第九代V-NAND產品。