根據韓國出版物《Hankyung》報道，三星準備在下個月推出第9代V-NAND（3D NAND閃存），預計將提供290 層結構，比該公司於2022 年首次推出的236 層第八代V- NAND 有進一步的提高。

據報道，三星是透過改進快閃記憶體層堆疊技術來實現290 層垂直堆疊密度的，這種技術依賴於透過在快閃記憶體層中增加儲存孔來增加層數。這樣做的代價是每個晶圓的數據密度，但增加層數帶來了淨收益。

報導第9 代V-NAND 的同一消息來源還稱，該公司計劃在2025 年初推出其後續產品–第10 代V-NAND。第10 代V-NAND 快閃記憶體預計將達到430 層，比第9 代V-NAND 快閃記憶體增加140 層（第9 代V-NAND 快閃記憶體比上一代增加54 層）。

這將使三星與其競爭對手Kioxia、SK Hynix、美光科技和YMTC 重新走上正軌，向2030 年實現1000 層3D NAND 快閃記憶體的宏偉目標發起衝擊。