3D電晶體正在各種類型晶片中鋪開，3D DRAM記憶體也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終於出現了3D DRAM。三星的DRAM晶片製造流程目前處於1b，後續還有1c、1d，都是10nm等級。再往後的10nm以下節點，將分別命名為0a、0b、0c、0d，其中打頭的0a製程預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓)，0d則要到2032年。

就在進入10nm之後，三星將全面開啟3D記憶體時代，首先引入VCT(垂直通道電晶體)，看起來應該是基礎的FinFET類型，而非更先進的GAA。

大約2030-2031年的時候，三星將升級到堆疊DRAM，將多組VCT堆在一起，從而獲得更大容量、更高性能，看起來還會引入電容器作為輔助。