近日美國商務部更新半導體出口管制新規，包括加入對EUV掩膜、刻蝕機等製造環節設備的管控，新增對中國澳門地區及D:5組地區採取「推定拒絕」的政策，以及重新澄清AI晶片許可證及其例外情況的適用範圍等，預計新規於美國當地時間4月4日生效，對新規的評議截止日期為4月29日。

根據浙商電子等研報顯示，美國BIS更新的對華出口管制新規的核心變化包括：

第一，新增管制EUV掩膜基板。尤其是為EUV光刻設計的掩膜基板被正式納入了相關的出口控制類別，並且需要遵守相應的出口許可要求。

第二，更新特定地區出口政策。對於中國澳門或國家組D:5目的地的出口、再出口或國內轉移，需要獲得出口許可證，其中包括最終用途和最終用戶的審查，並採取「假定拒絕」政策。

第三，明確部分技術關鍵參數。對於積體電路的「總處理性能」（TPP）和「性能密度（PD）」定義及計算方法進行進一步明確。其中，TPP是基於MacTOPS（百萬次乘累積加操作每秒）的理論峰值計算，性能密度是TPP除以適用的晶片面積。

第四，補充整機產品的限制。電腦、電子組件和組件若包含特定性能參數的積體電路，例如總處理性能或性能密度超出範疇，則需要接受出口管制。

第五，增加逐案審查政策。對包括AI在內的高效能晶片和相關製造技術的出口，採取「逐案審查」政策，並將考慮技術層級、客戶身分、合規計畫和合約的規範性等多種因素。

其中，新規對高性能AI晶片的界定是關鍵重點。

中泰電子的研報顯示，美國商務部對高性能晶片的定義（3A090）標準，仍是基於2023年10月的更新，即：（1）TPP（註：總處理性能）≥4800；（2 ）TPP≥1600且PD（註：性能密度）≥5.92；（3）2400≤TPP＜4800且1.6≤PD＜5.92；（4）TPP≥1600且3.2≤PD小於5.92。

同時，其多項重要更新還包括：添加3A001.z段落，新增對MMIC放大器和離散微波晶體管的控制，特定用於民用電信應用的設備除外；對於半導體設備（3B001）的修訂，對分子束外延生長設備、化學氣相沉積（CVD）設備、原子層沉積（ALD）設備等增加了新的控制措施；澄清某些條款，以確保出口、再出口或國內轉移物品符合特定許可例外的條件等。

另外，新規也提及關於先進運算設備、超級電腦和半導體最終用途的額外出口控制，即對向中國出口晶片的限制也適用於包含相關晶片的筆記型電腦等。

先前中國商務部發言人對「美國修訂半導體出口管制措施」回應稱，中方注意到，美方修訂了半導體出口管制措施，這距離美上次出台措施僅半年不到。包括美國企業在內的各國企業都希望有一個穩定、可預期的經營環境。美方泛化國家安全概念，肆意修改規則，加嚴管制措施，不僅給中美兩國企業開展正常經貿合作設置了更多的障礙，施加了更重的合規負擔，還給全球半導體產業造成了巨大的不確定性。這嚴重影響中外企業進行互利合作，損害其正當合法權益。中方對此堅決反對。

中國商務部發言人表示，半導體產業高度全球化，經過數十年發展，已形成你中有我、我中有你的產業格局，這是市場規律和企業選擇共同作用的結果。中國是全球最大的半導體市場。中方願與各方一道，加強互利合作，促進全球半導體產業鏈供應鏈的安全與穩定。