三星成為首家進入3D DRAM 時代的公司，計劃在十年內推出解決方案。在過去的幾個季度裡，DRAM 產業有些沉寂，顯然，各公司都在忙於應對高庫存水準和低消費需求所帶來的嚴峻財務狀況。現在情況有所改善，重點終於轉移到了下一代研發上，這一次，三星提出了自己的3D DRAM 實現方案，預計將在明年生效。

根據在網路上曝光的內部簡報幻燈片，DRAM 產業正在朝向10 奈米以下的壓縮線邁進。為了打破現代DRAM 技術創新的僵局，三星計劃推出兩種新方法，即垂直通道電晶體和堆疊式DRAM，這兩種方法都涉及元件定位的差異，最終會減少裝置面積的佔用，從而確保更高的性能。

同樣，為了提高記憶體容量，三星計劃利用堆疊DRAM 概念，使公司能夠實現更高的儲存空間比，從而在未來將晶片容量提高到可能的100 GB。

據預測，到2028 年，3D DRAM 市場將成長到1,000 億美元。從目前來看，三星的發展相對較早，這可能意味著這家韓國巨頭在未來將引領DRAM 產業的發展。