美光科技（Micron Technology）週一表示，該公司已開始大量生產其HBM3E 記憶體。該公司的HBM3E已知良好堆疊晶片（KGSD）將用於NVIDIA的H200運算GPU，用於人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）應用，該產品將於2024年第二季出貨。

美光透露其正在大規模生產24 GB 8-Hi HBM3E 設備，每個設備的資料傳輸速率為9.2 GT/s，峰值記憶體頻寬超過1.2 TB/s。與HBM3 相比，HBM3E 將資料傳輸速率和峰值記憶體頻寬提高了44%，這對於像NVIDIA 的H200 這樣對頻寬要求極高的處理器尤其重要。

NVIDIA 的H200 產品採用Hopper 架構，運算效能與H100 相同。同時，它配備了141 GB HBM3E 內存，頻寬達4.8 TB/s，比H100 的80 GB HBM3 和3.35 TB/s 頻寬有了顯著提升。

美光使用其1β（1-beta）製程技術生產其HBM3E，這對該公司來說是一項重大成就，因為該公司將其最新的生產節點用於資料中心級產品，這是對製造技術的一種考驗。隨著美光即將於2024 年3 月發布36 GB 12-Hi HBM3E 產品，代表著公司的人工智慧記憶體路線圖得到了進一步鞏固，同時這些設備接下來將用於何處還有待觀察。

領先競爭對手SK Hynix 和三星開始量產HBM3E 記憶體是美光公司的一項重大成就，目前美光公司在HBM 領域佔據10% 的市場份額。此舉對該公司至關重要，因為它使美光能夠比競爭對手更早推出高端產品，從而有可能增加收入和利潤率，同時獲得更大的市場份額。

美光科技執行副總裁兼首席業務官Sumit Sadana 表示：”美光在HBM3E 這一里程碑上實現了三連冠：領先的上市時間、同類最佳的行業性能以及與眾不同的能源效率特性。人工智慧工作負載在很大程度上依賴記憶體頻寬和容量，美光透過我們業界領先的HBM3E 和HBM4 路線圖，以及我們面向人工智慧應用的全套DRAM 和NAND 解決方案組合，在支援未來人工智慧的大幅成長方面處於非常有利的位置。”