Arm公司和三星公司本周宣布了針對Arm下一代Cortex通用CPU核心以及三星下一代製程技術（採用全閘極GAA多橋通道場效電晶體MBCFET）的聯合設計技術共同最佳化（DTCO）計畫。

根據該計劃，兩家公司的目標是為各種應用（包括智慧型手機、資料中心、基礎設施和各種客製化的系統單晶片）提供基於三星2 奈米級製程技術的定製版Cortex-A 和Cortex-X內核。目前，這兩家公司尚未透露他們的目標是為三星第一代2 奈米生產節點SF2（將於2025 年推出）共同優化Arm 的Cortex 內核，還是計劃為所有SF2 系列技術（包括SF2 和SF2P）優化這些內核。

通道四面都被閘極包圍的GAA 奈米片電晶體有許多最佳化選擇。例如，可以拓寬奈米片通道以增加驅動電流並提高性能，或縮小通道以降低功耗和成本。根據不同的應用，Arm 和三星將有大量的設計選擇。

考慮到面向各種應用的Cortex-A 內核，以及專為提供最高性能而設計的Cortex-X 內核，雙方合作的成果將是相當可觀的。尤其期待效能最大化的Cortex-X 核心、效能和功耗最優化的Cortex-A 核心以及功耗更低的Cortex-A 核心。

如今，Arm 等IP（智慧財產權）開發商與三星代工廠等代工廠之間的合作對於最大限度地提高效能、降低功耗和優化電晶體密度至關重要。與Arm 的合作將確保三星的代工合作夥伴能夠獲得完全符合他們需求的處理器核心。