長期以來，人們一直期待著非揮發性記憶體能帶來運算模式的轉變，但這不可能很快實現。在最近的一次網路研討會上，來自儲存網路產業協會（SNIA）的業內人士表示，他們相信新技術將取代DRAM 等成熟的記憶體技術，但這可能不會在本十年結束前實現。

在回答媒體和行業觀察家的提問時，SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin 和Jim Handy 表示，持久性內存的速度已經達到了現代DRAM 技術的水平，SK 海力士和美光的鉿鐵電技術就證明了這一點。不過，他們無法直接回答哪種新興記憶體技術將最終取代客戶端PC 和伺服器中的DRAM。

雖然鐵電記憶體以快速寫入週期而著稱，但並不能保證它最終會勝出。這是因為MRAM、FERAM 和ReRAM 等多種新型記憶體技術都在競相取代SRAM、NOR 快閃記憶體和DRAM 等現有標準。

據專家稱，MRAM 與其競爭對手相比具有很大的優勢，因為其讀取速度”很可能在不久的將來與DRAM 的速度相媲美”。自旋軌道力矩和電壓控制磁各向異性等新技術也正在縮短MRAM 的寫入延遲時間，使其成為有朝一日可能取代DRAM 的主要候選產品之一。

然而，從DRAM 過渡到持久性記憶體的一個主要障礙是製造成本。雖然DRAM 的生產成本相對較低，但要讓持久性內存在價格上具有競爭力，可能還需要數年時間。

妨礙採用持久性記憶體的另一個問題是，它目前使用的是NOR 快閃記憶體和SRAM 接口，而不是DDR。不過，這種情況在未來可能會改變，因為”任何記憶體技術都不可能與任何總線緊密結合”。

顧名思義，非揮發性記憶體即使在沒有電源的情況下也能保留內容，這使它在某些應用中成為一筆巨大的財富。然而，專家認為，儘管持久性記憶體的優勢顯而易見，但在不久的將來，它的廣泛應用還面臨著許多障礙。從目前的情況來看，我們可能不會在2030 年代初之前過渡到這種新技術，”但也可能比那要晚得多”。