根據台灣產業媒體DigiTimes 通報，台積電的尖端2 奈米EUV 代工節點預計將於2024 年第四季進入風險產品階段。 2 奈米將是該代工公司的重要里程碑，因為這將是該公司首次採用GAA（閘極環繞）場效電晶體。

這是FinFET 的後繼技術，FinFET 推動了矽製造節點從16 奈米到3 奈米近十年的發展。 GAAFET 技術對於代工廠在2 奈米和1 奈米之間的發展至關重要。 

台積電預計將在位於台灣北部新竹科學園區寶山園區的新晶圓廠冒險生產2 奈米節點的晶片。如果風險生產一切順利，預計在2025 年第二季實現晶片量產。

在此之前，該公司最終FinFET 節點N3 系列的改進仍將是矽製造的最前線。三星也為其2 奈米節點（被稱為SF2）的量產設定了類似的2025 年目標。

在太平洋彼岸，英特爾代工服務公司的英特爾20A 節點採用了GAAFET（又稱RibbonFET）技術，其目標時間類似，包括雄心勃勃的2024 年量產目標。